Historien om LED-udvikling
Opdagelsen af halvleder-PN-junction-luminescens kan spores tilbage til 1920'erne. Den franske videnskabsmand OWLossow observerede først dette luminescensfænomen, da han studerede SiC-detektorer. På grund af begrænsningerne af materialeforberedelse og enhedsteknologi på det tidspunkt, blev denne vigtige opdagelse ikke hurtigt udnyttet. Indtil fyrre år senere, med udviklingen af III-V gruppematerialer og enhedsteknologi, udviklede folk endelig med succes en praktisk værdi GaAsP lysemitterende diode, der udsender rødt lys, som blev masseproduceret af GE som en instrumentindikator. Siden da, på grund af den videre udvikling af GaAs, Gap og anden materialeforskning og enhedsteknologi, er der udover dybrøde LED'er også LED-enheder, herunder orange, gul, gul-grøn og andre farver dukket op på markedet i stort antal.
Af forskellige årsager har LED-enheder som Gap og GaAsP lav lyseffektivitet, og lysintensiteten er normalt under 10mcd, som kun kan bruges til indendørs visningsformål. Selvom AlGaAs-materialet kommer ind i det indirekte spring-type område, falder lyseffektiviteten hurtigt. Med fremskridtene af halvledermaterialer og enhedsteknologi, især den voksende modenhed af epitaksiale processer såsom MOCVD, i de tidlige 1990'ere, brugte henholdsvis Nichia i Japan og Cree i USA MOCVD-teknologi i GaN-baserede LED-epitaksiale wafere med enhedsstrukturer. med succes dyrket på safir- og SiC-substrater, og blå, grønne og violette LED-enheder med høj lysstyrke blev fremstillet.
Fremkomsten af LED-enheder med ultrahøj lysstyrke har åbnet ekstremt strålende udsigter til udvidelsen af LED-applikationsområder. Den første er, at stigningen i lysstyrke får anvendelsen af LED-enheder til at flytte fra indendørs til udendørs. Selv i stærkt sollys kan disse LED-rør på cd-niveau stadig skinne klart og farverigt. På nuværende tidspunkt er det blevet meget brugt i udendørs storskærmsvisning, køretøjsstatusindikation, trafiklys, LCD-baggrundsbelysning og generel belysning. Den anden funktion ved ultra-lyse LED'er er forlængelsen af emissionsbølgelængden. Fremkomsten af InGaAlP-enheder udvider emissionsbåndet til det kortbølgede gulgrønne område på 570 nm, mens GaN-baserede enheder udvider emissionsbølgelængden yderligere til de grønne, blå og violette bånd. På denne måde gør LED-enheder ikke kun WORLD farverig, men gør det også muligt at fremstille solid-state hvide lyskilder. Sammenlignet med konventionelle lyskilder er LED-enheder kolde lyskilder med lang levetid og lavt strømforbrug. For det andet har LED-enheder også fordelene ved lille størrelse, robust og holdbar, lav driftsspænding, hurtig respons og nem forbindelse med computere. Statistikker viser, at i de sidste fem år af det tyvende århundrede har anvendelsesmarkedet for LED-produkter med høj lysstyrke opretholdt en vækstrate på mere end 40 procent. Med genopretningen af VERDENsøkonomien og starten på projektet med hvid belysning, menes det, at produktionen og anvendelsen af LED vil indlede et større klimaks.
