Halvledermaterialer, der almindeligvis bruges til at fremstille lysdioder
Lyskilden til LED er PN-kryds, hvordan er den lavet? Hvilke er de halvledermaterialer, der almindeligvis bruges til at fremstille lysdioder?
Den væsentlige struktur af en lysemitterende diode er et halvleder-PN-kryds. Når en fremadspænding påføres PN-krydset, injiceres minoritetsbærere, og rekombinationen af minoritetsbærere er arbejdsmekanismen for den lysemitterende diode. PN-kryds refererer til en struktur med tilstødende P- og N-regioner i en enkelt krystal. Det dannes normalt ved diffusion, ionimplantation eller vækst på en krystal af en ledningsevnetype for at producere et tyndt lag af en anden ledningsevnetype. lag er lavet. Hvis siliciumcarbid blå LED blev fremstillet ved ionimplantation, GaAs, GaAs0.60P0.40 / GaAs0.35P0.65: N / GaP, GaAs0.15P0.85: N / GaP, GaP: ZnO / GaP blev fremstillet ved diffusionsmetode Infrarøde, røde, orange, gule, røde lysdioder, mens GaAlAs, InGaN, InGaAlP ultrahøj lysstyrke LED'er er alle lavet af vækstkryds, GaAs, GaP: ZnO / GaP og GaP: N / GaP LEDPN-kryds også er lavet med dyrkede kryds. Sammenlignet med diffusionsmetoden og ionimplantationsmetoden overkompenseres vækstkrydset generelt for at lave et PN-kryds, og de ubrugelige urenheder er for meget, hvilket resulterer i et fald i krystalkvaliteten, en stigning i defekter og en stigning i brugen af ikke-strålingsrekombination, hvilket resulterer i et fald i lyseffektiviteten.
De halvledermaterialer, der almindeligvis anvendes til fremstilling af lysdioder, omfatter hovedsageligt III-V-sammensatte halvledermaterialer såsom galliumarsenid, galliumphosphid, galliumaluminiumarsenid, galliumarsenidphosphor, indiumgalliumnitrid, indium galliumaluminiumfosfor osv., Samt gruppe IV-sammensatte halvledere. Siliciumcarbid, gruppe II-VI-forbindelse zinkselenid osv.
