Hvad er et monokrystallinsk solpanel?
Det kaldes monokrystallinsk på grund af, hvordan det er lavet eller mere passende, hvordan det er lavet af, dvs. det er lavet af en enkelt krystal (af silicium).
Hvordan laves monokrystallinske solpaneler?
I modsætning til det polykrystallinske panel, som er opnået fra mange siliciumkrystaller opnået smeltet og direkte afkølet, involverer produktionen af et monokrystallinsk panel en mere kompleks proces "Czochralski Growth".
Efter at have fået siliciumstenene fra sin moderbjergart, smeltes den i noget som en lukket kolbe kaldet 'Czochralski Growth Apparatus'. Denne kolbe har et varmelegeme i sit inderste lag med en grafitskål, der indeholder siliciumstenene. Det inderste lag efterfølges af et andet lag kaldet varmeskjoldet placeret i et rum kaldet kammeret.
Når siliciumet er smeltet, dyppes et bestemt materiale kaldet 'frøkrystallen' i væske og trækkes op igen, mens den roterer. Frøkrystallen fortsætter med at rotere, mens den bevæger sig opad, mens grafitskålen samtidig sænker sig selv, og derved skabes en solid cylindrisk ingot af silicium omkring frøkrystallen. Barren kan være større end den ønskede diameter, men den kan trimmes til en ønsket størrelse.
Stor barrel ville ikke gøre os noget godt. Derfor skæres barren i tynde lag ved hjælp af en 100-200-mikron tyk højkvalitets ståltråd forbundet til roterende ruller, der skærer barren i grove overflader. For at fjerne de ru overflader lappes flere wafers på begge sider ind imellem til modsat roterende pude, dette kaldes 'lapning'. Selvom lapning hjælper med at udglatte overfladen af waferen, forringer det krystalstrukturen af waferens siliciumoverflade. Imidlertid anvendes en proces kaldet 'ætsning' til at genoprette dette og forbedre krystalstrukturen. Ætsning udføres ved at nedsænke waferen i et hvilket som helst passende ætsemiddel såsom; KOH eller HF.
Overfladen af panelet poleres derefter ved hjælp af en ultrafin opslæmning for at opnå en glat wafer.
Efter at have diskuteret, hvordan de forskellige krystallinske paneler er lavet, har vi et godt grundlag for at diskutere de store forskelle mellem dem. Når vi går videre, vil vi overveje forskellige punkter i analysen af de to typer teknologi.
